DDR5和DDR4記憶體區別在哪?一文瞭解詳情

不少玩家在選購記憶體時候會看到部分商家會將DDR5和DDR4記憶體進行比較,並且還有各種各樣的時序使自己眼花繚亂,但多數玩家並不懂這些專業話術,所以今天就為你們整理出這些區別在哪裡。

首先DDR5和DDR4記憶體的區別在於頻寬速度,單片晶片密度,工作頻率三個方面。

一、頻寬速度方面:

與DDR4相比,改進的DDR5功能將使實際頻寬提高36%,目前DDR4的頻寬在25.6GB/s,DDR5的頻寬為32GB/s。

二、工作頻率方面:

DDR4的最低的工作頻率標準為1600MHz,最高工作頻率為3200MHz(不超頻的情況下),而DDR5的工作頻率最低高達4800MHz以上,最高頻率達到6400MHz。

三、單片晶片密度方面:

DDR4目前主要為4GB,單條記憶體的最大容量達到128GB,而DDR5會有單片超過16GB的晶片密度,可以達到單條更高容量。

而在功耗方面目前DDR4記憶體的單條功耗為1.2V,DDR5記憶體的功耗將進一步降低到1.1V。同時DDR5具有改進的命令匯流排效率,更好的刷新方案以及增加的存儲體組以獲得額外的性能。

說完了DDR5和DDR4記憶體的區別,那接下來說一下記憶體的時序起到什麼作用。記憶體時序則是一大串數字,表述的時候中間用破折號隔開,例如16-18-18-38。

記憶體時序4個數位對應的參數分別為CL、tRCD、tRP、tRAS,單位都是時間週期,也就是一個沒有單位的純數位。

CL(CASLatency):列位址訪問的延遲時間,是時序中最重要的參數。

tRCD(RASto CAS Delay):記憶體行位址傳輸到列位址的延遲時間。

tRP(RASPrecharge Time):記憶體行位址選通脈衝預充電時間。

tRAS(RASActive Time):行地址啟動的時間。

越低的時序代表顆粒體質越好,超頻的潛力也就越大。記憶體的時序會隨著頻率的增加而增加,記憶體的延遲可以用這個公式來計算:記憶體延時=時序(CLx 2000 )/記憶體頻率。

即使記憶體的時序會隨著頻率的增加而增加,但最後記憶體的延時並沒有太大的變化。頻率相同時,時序越低,延遲也就越小。同樣,時序相同時,頻率越高,延遲也就越小。

 

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