Intel宣佈全新CPU製程:10nm改名為Intel 7、7nm改為Intel 4

前不久Intel宣佈即將舉行一次重要會議,介紹了Intel在晶片製程及封裝上的進展,其中一個重要內容就是全新的CPU製程路線圖,而且Intel真的改名了,10nm製程變成了Intel 7,7nm變成了Intel 4,未來還有Intel 3、Intel 20A

Intel是堅定的摩爾定律捍衛者,儘管每代製程的技術指標是最強的,但在進度上確實已經落後於台積電、三星,現在量產了10nm製程,台積電已經是第二代5nm製程了,明年還有3nm製程。

製程命名上始終落後對手,對Intel來說宣傳很不利,早前網友調侃說Intel應該把10nm改成7nm,畢竟他們的電晶體指標確實達到甚至超過了台積電7nm的水準,沒想到這個調侃成真,Intel這次真的改名了,但改的方式也有點獨特。

此前的10nm Enhanced SuperFin製程改為Intel 7——對,沒有7nm字樣,官方就叫做Intel 7,你當7nm也行,但Intel沒明確說是7nm,這次就是改了,但又沒改。

相比Tiger Lkae上的10nm Superfin製程,Intel 7製程的每瓦性能提升10-15%(注意Intel介紹性能提升的方式也變了,說的是每瓦性能),首先應用於今年底的Alder Lake,資料中心處理器Sapphire Rapids則會在明年用上Intel 7製程。

Intel原先的7nm製程則會改名為Intel 4,這會是Intel首個應用EUV光刻製程的FinFET製程,每瓦性能提升20%,2022年下半年開始生產,2023年產品出貨,就是之前的7nm Meteor Lake處理器。

Intel 4製程之後是Intel 3製程,是最後一代FinFET製程,每瓦性能提升18%,2023年下半年開始生產。

再往後Intel也會放棄FinFET電晶體技術,轉向GAA電晶體,新製程名為Intel 20A,會升級到兩大突破性技術——PowerVia、RibbonFET,前者是Intel獨創的供電技術,後者是GAA電晶體的Intel技術實現,預計2024年問世。

2025年及之後的製程還在開發中,命名為Intel 18A,會繼續改進RibbonFET製程,同時會用上ASML下一代的高NA EUV光刻機,量產時間不定。

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