比QLC還爛的PLC NAND Flash即將浮出水面:用戶能接受嗎?

NAND快閃記憶體從SLC到MLC再到TLC,可以說一步步降低了成本,提升了容量,這是它們得以普及的關鍵。現在QLC快閃記憶體在這一年中發展迅猛,大有搶TLC風頭的意味,而更渣的PLC快閃記憶體也在路上了。

所謂SLC、MLC、TLC、QLC及PLC,指的是快閃記憶體的類型,它們每個cell單元分別存放1、2、3、4、5位元電荷,所以容量越來越大,但是代價就是寫入速度越來越低,P/E壽命越來越渣,QLC的P/E次數宣傳上有1000次,實際大概是幾百次,PLC時代弄不好要跌到100次內了。

從消費者角度來說,QLC快閃記憶體都很難接受,更別提再渣一等的PLC快閃記憶體,這壽命和速度看著不讓人放心。

但是快閃記憶體廠商對PLC快閃記憶體的研究早就開始了,隨著QLC快閃記憶體發展的第三、第四代,目前性能、容量、可靠性算是維持住底線了,研發中的PLC快閃記憶體進入市場只是遲早的事。

從Intel之前的表態來看,他們早就規劃好PLC快閃記憶體了,好消息是其3D PLC快閃記憶體將仍舊堅守使用浮柵型結構(Floating Gate),儘管當前3D快閃記憶體的主流結構是Charge Trap電荷捕獲型,但Intel指出,浮柵型在讀取干擾、資料保持期上更優秀。

三星、東芝、美光、SK海力士、西數等公司的PLC快閃記憶體也是箭在弦上,只是時間早晚的事。

PLC快閃記憶體一定會被推到市場上,但是最終能不能被接受還不好說,SINA存儲網路協會董事會成員J Metz認為PLC快閃記憶體在技術上是不可避免的,但他對其市場前景表示懷疑,特別是TLC快閃記憶體等成本不斷下降的情況下。

根據J Metz的看法,阻礙PLC快閃記憶體的倒不是PLC本身缺點,而是廠商如果能在TLC或者QLC快閃記憶體上就做到需要的大容量、成本等指標,那就沒必要去推PLC快閃記憶體,畢竟後者在技術、可靠性等方面確實需要更多投入。

 

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