Intel CEO承諾7nm兩年內推出

作為提出者,Intel依然堅持摩爾定律奏效論。

在參加財富頭腦風暴技術會議時,Intel CEO司睿博(Bob Swan)表示,10nm延期五年的原因是目標設置得過於激進,尤其是發現越來越難以實現的時候。

雖然沒有按照計畫在兩年內將電晶體密度提升兩倍,但司睿博強調,Intel依然保持領導地位, 畢竟如今交付的10nm相較於上一代14nm,電晶體密度實際上提升了2.7倍。

另外,他還談到了7nm,指出正在開發中,承諾將在兩年內推出,且電晶體密度至少提升兩倍。

談及未來,司睿博指出Intel在整個矽晶片市場僅佔有30%的份額,他認為人工智慧、汽車自動駕駛等對高性能計算有著爆炸式需求,這些領域將是Intel新的商業機會。

在制程工藝上,Intel從2015年到現在一直在魔改14nm工藝,10nm工藝說是今年6月份量產了,但在時間進度上確實要比台積電等公司落後了,AMD今年都出7nm的CPU和顯卡了。

今年5月份的投資會議上,Intel宣佈了新一代制程工藝路線圖,14nm工藝(對標台積電10nm)會繼續充實產能,10nm工藝(對標台積電7nm)消費級產品今年年底購物季上架,伺服器端明年上半年。

Intel 7nm EUV工艺2021年首发:密度翻倍 每瓦性能提升20%

再往後就是7nm了,Intel的7nm對標台積電5nm,預計會在2021年量產,不過首發產品是Xe架構的GPU加速卡,CPU的話估計要到到2022年了。

日前韓國媒體曝光了Intel的內部資料,詳細介紹了7nm工藝以及處理器架構、傲騰、安全等方面的進展,如下所示:

Intel 7nm EUV工艺2021年首发:密度翻倍 每瓦性能提升20%

在制程工藝方面,10nm首發平臺是Ice Lake處理器,6月份出貨,其他10nm工藝產品到2020及2021年推出,前面也說了消費級、伺服器級的10nm處理器要等到2020年了。

7nm工藝計畫2021年推出,相比10nm工藝電晶體密度翻倍,每瓦性能提升20%,設計複雜度降低了4倍。

這是Intel首次公佈7nm工藝的具體細節,電晶體密度翻倍沒有什麼意外,正常都應該是這樣,不過每瓦性能提升20%,這個資料要比預期更低,也只能說明在10nm之後,Intel的先進工藝在性能提升也遇到瓶頸了。

還有Intel沒有提及能耗的具體資訊,作為對比的是,Intel之前表示10nm工藝相比14nm降低了60%的能耗或者提升25%的性能。

此外,7nm工藝還是Intel首次使用EUV光刻工藝,有助於提升工藝微縮。

7nm工藝的首款產品就是Xe架構的GPU加速晶片,主要應用於資料中心AI及高性能計算。

 

Intel 7nm EUV工艺2021年首发:密度翻倍 每瓦性能提升20%

處理器架構方面,現在的伺服器端是14nm Cascade Lake,主要是增加了DL Boost指令集加速AI性能。

桌上型還有Core i9-9900KS,全核5GHz的9900K加強版了。

Ice Lake,這是10nm工藝Sunny Cove核心的全新產品,3x倍無線速度、2倍視頻轉碼速度、2倍圖形性能、3倍AI性能這些也是之前說過的了。

Ice Lake的核顯架構升級到Gen11,32位元浮點性能達到1TFLOPS以上,EU單元至少64個。

 

Intel 7nm EUV工艺2021年首发:密度翻倍 每瓦性能提升20%

存儲晶片方面,Intel今年上半年已經推出了傲騰H10,整合了傲騰記憶體及QLC快閃記憶體,9月份還有傲騰M10及M15新品,這是新一代傲騰記憶體,不過具體規格不詳。

Intel 7nm EUV工艺2021年首发:密度翻倍 每瓦性能提升20%

安全性方面,Ice Lake處理器主要增加了GFNI、SGX、PCFONFIG等指令,Ice Lake下一代的Tiger Lake會支援CET增強指令,Atom處理器中的下代Tremont架構也會增加SGX、GFNI等指令集。

Intel 7nm EUV工艺2021年首发:密度翻倍 每瓦性能提升20%

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