Q3季度DRAM記憶體產值再創新高:顯卡記憶體降了3%,DDR4依然微漲

此前有報導稱10月份DRAM記憶體現貨價格終於降價了,4GB及8GB記憶體模組降幅約為10%,預計2019年還會再降20%,記憶體市場將迎來拐點。不過今年Q4季度即便記憶體降價,前三個季度的記憶體依然是上漲,所以DRAM廠商今年的整體營收及盈利依然會創紀錄提升,Q3季度中顯存因為挖礦降溫出現了3%左右的降幅,DDR3因為需求弱而跌價之外,包括標準記憶體、伺服器記憶體及移動在內的記憶體依然漲了0-2%不等,全球DRAM記憶體產值達到了280億美元,同比增長9%,其中三星以45.5%的份額繼續保持第一。

集邦科技旗下的DRAMeXchange日前發佈了Q3季度全球DRAM記憶體市場報告,2018年第三季DRAM整體產業營收較上季成長9%,再創歷史新高。觀察各產品類別的報價走勢,除了圖顯記憶體(graphic DRAM)受到虛擬挖礦(cryptocurrency)需求驟減與基期太高的影響,出現3%左右的跌幅,以及消費性市場應用主流DDR3因需求轉弱而率先走跌外,其餘主流應用別的記憶體(包含標準型、伺服器、行動式記憶體)仍維持0-2%的季漲幅。

DRAMeXchange指出,有別於過去兩年多來營收成長主要由報價上揚所帶動,由於DRAM產能已在下半年陸續開出,第三季價格漲幅基本已接近持平,因此營收成長主要來自於位元出貨量的持續提升。展望第四季,10月份的DRAM合約價已經正式走跌,除了宣告DRAM價格漲勢告一段落,供過於求加上高庫存水位的影響更導致價格跌幅劇烈。預期在供給端、管道端、採購端庫存尚未完全消化前,2019年第一季的合約價恐將面臨更大的跌價壓力。

從營收角度觀察,DRAMeXchange指出,在產業邁向反轉之際,小廠受到的衝擊較龍頭廠來得即時且劇烈,因此大小廠商的表現在第三季開始出現分歧。產業龍頭三星受惠於新增產能逐漸放量,位元出貨成長顯著,儘管平均銷售單價未有明顯變化,但營收仍較上季成長13.6%,來到127.3億美元的新高,在三大廠中表現最為亮眼。而SK海力士在產出提升及平均銷售單價小幅上揚1%的助力下,營收季增6.0%至81.5億美元。兩大韓廠營收市占分別為45.5%與29.1%,合計約74.6%。

美光集團依舊維持第三,雖然銷售單價約略持平,但位元出貨提升仍帶動營收來到59.2億美元,較前一季成長6.8%,市占率則約略持平在21.1%。

觀察原廠獲利能力,即便第三季平均銷售單價的漲幅已大幅收斂,然各廠仍持續靠著轉進先進制程優化成本結構,使得營業利益率仍較前一季上揚。三星的1Ynm在第三季開始出貨,因新一代制程在量產初期通常良率較低,拖累部分獲利表現,導致三星的營業利益率在三大原廠中成長幅度最小,由前一季的69%微幅上升至70%,但仍創下歷史新高,亦顯示生產DRAM的毛利已突破八成水位。

至於SK海力士,本季1Xnm的良率顯著提升,帶動營業利益率從63%成長至66%,表現最為亮眼。美光受惠1Xnm的比重持續提升,拉抬營業利益率從60%升至62%。三大原廠營業利益率持續刷新紀錄,但在第四季DRAM價格已正式反轉向下且跌幅顯著的情況下,成本優化可能已無法抵銷報價下滑的衝擊,因此原廠獲利的高點恐已結束。

由技術面觀察,三星今年除了維持1Xnm制程高產出比重外,部分Line 17增加的投片以及平澤廠二樓的DRAM產能,將往下一代1Ynm制程轉進。隨著平澤廠產能於今年下半年陸續開出,1X+1Ynm產出比重在年底合計將達70%,並於2019年持續提升1Ynm占比。SK海力士經過兩個季度的調整與改良,1Xnm良率在第三季顯著提升,而中國無錫的第二座12英寸廠仍照進度將於年底前完工,並於2019上半年開始貢獻產出,但受到中美貿易摩擦的影響,無錫廠擴增投片的腳步不會太積極。而美光方面,臺灣美光記憶體(原瑞晶)已全數以1Xnm生產,下一步將直接轉往1Znm,但實際貢獻將落在2020年;臺灣美光晶圓科技(原華亞科)已于第二季進行20nm往1Xnm的轉換,年底前將開始轉往1Ynm,並于明年逐步提升比重。

台系廠商部分,南亞科第三季出貨量小幅下滑,使營收表現較前一季衰退3.7%。不過在20nm的成本效益帶動下,營業利益率仍舊由上一季的46.8%大幅提升至51.0%。然而,受到DRAM報價反轉向下影響,加上南科擴廠的折舊費用要開始攤提,獲利能力要再攀升恐有一定壓力。

力晶科技方面,由於第三季轉移較多產能至獲利較好的SLC NAND與非DRAM代工產品,因此本身DRAM營收較上季下滑13.3%;華邦DRAM營收則約略持平,出貨量和平均銷售單價皆呈現穩定。

 

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