與台積電在7nm節點搶先完成佈局不同，三星在7nm節點要慢了一些，上周才宣佈了7nm EUV工藝正式量產，很大一個原因就是三星在7nm節點上直接上了EUV光刻工藝，沒有使用過渡工藝，這要比英特爾、台積電都激進得多。除了邏輯工藝升級到EUV工藝，三星在未來的1Ynm工藝的DRAM記憶體晶片生產上也在研究EUV工藝，而他們也不是唯一的一家，SK Hynix也被曝研發EUV工藝的DRAM晶片，只有美光在這方面比較保守。
不論是處理器晶片還是存儲晶片，現在的半導體生產幾乎都離不開光刻機，上不上EUV光刻工藝主要是看需求及成本，邏輯晶片工藝對EUV工藝是最有需求的，7nm被公認為大量應用EUV工藝的節點，越往下就越依賴EUV工藝。
DRAM記憶體對EUV工藝需求並不迫切，畢竟目前最先進的DRAM工藝依然在18nm以上，所以美光之前表態即使到了1α及1β工藝工藝節點，也沒有必要使用EUV工藝。
美光不用不代表其他DRAM廠商不用，三星對EUV工藝是最激進的，此前被爆在1Ynm節點就會嘗試EUV光刻工藝，最快在2020年量產EUV工藝的1Ynm記憶體晶片。
來自韓國媒體的消息，除了三星之外，SK Hynix在韓國利川市新建DRAM工廠，也在研發EUV工藝的DRAM記憶體晶片。
使用EUV工藝的好處是可以提高光刻精度，減小線寬，降低記憶體單位容量成本，不過EUV工藝目前還不夠成熟，產能不如普通的光刻機，這還需要時間改進。
