三星、SK Hynix研發EUV工藝的DRAM晶片,記憶體成本更低

與台積電在7nm節點搶先完成佈局不同,三星在7nm節點要慢了一些,上周才宣佈了7nm EUV工藝正式量產,很大一個原因就是三星在7nm節點上直接上了EUV光刻工藝,沒有使用過渡工藝,這要比英特爾、台積電都激進得多。除了邏輯工藝升級到EUV工藝,三星在未來的1Ynm工藝的DRAM記憶體晶片生產上也在研究EUV工藝,而他們也不是唯一的一家,SK Hynix也被曝研發EUV工藝的DRAM晶片,只有美光在這方面比較保守。

不論是處理器晶片還是存儲晶片,現在的半導體生產幾乎都離不開光刻機,上不上EUV光刻工藝主要是看需求及成本,邏輯晶片工藝對EUV工藝是最有需求的,7nm被公認為大量應用EUV工藝的節點,越往下就越依賴EUV工藝。

DRAM記憶體對EUV工藝需求並不迫切,畢竟目前最先進的DRAM工藝依然在18nm以上,所以美光之前表態即使到了1α及1β工藝工藝節點,也沒有必要使用EUV工藝。

美光不用不代表其他DRAM廠商不用,三星對EUV工藝是最激進的,此前被爆在1Ynm節點就會嘗試EUV光刻工藝,最快在2020年量產EUV工藝的1Ynm記憶體晶片。

來自韓國媒體的消息,除了三星之外,SK Hynix在韓國利川市新建DRAM工廠,也在研發EUV工藝的DRAM記憶體晶片。

使用EUV工藝的好處是可以提高光刻精度,減小線寬,降低記憶體單位容量成本,不過EUV工藝目前還不夠成熟,產能不如普通的光刻機,這還需要時間改進。

 

消息來源

發表迴響

在下方填入你的資料或按右方圖示以社群網站登入:

WordPress.com 標誌

您的留言將使用 WordPress.com 帳號。 登出 /  變更 )

Google photo

您的留言將使用 Google 帳號。 登出 /  變更 )

Twitter picture

您的留言將使用 Twitter 帳號。 登出 /  變更 )

Facebook照片

您的留言將使用 Facebook 帳號。 登出 /  變更 )

連結到 %s

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.